반도체 소자를 만들 때 기판 위에 얇은 박막을 성장시켜 전기적 특성을 부여하는 에피웨이퍼를 생산합니다. 대전 유성구에 본사를 둔 아이브이웍스는 질화갈륨 소재를 활용한 이 웨이퍼를 제작하며, 5G 통신과 전기차, 레이더 등 고출력 전자기기에 쓰이는 핵심 소재입니다.
웨이퍼를 원자재로 받아 반도체·디스플레이 공정을 거쳐 제품을 완성합니다. 2020년부터 이 자리에서 공장을 운영해 왔으며, 제조 시설 넓이는 479.2㎡입니다.
5G 이동통신과 전기자동차, 자율주행 및 무선통신 등 미래 산업의 전력 및 고주파 소자 제작에 필요한 소재로 공급됩니다.
주력 제품은 질화갈륨 에피웨이퍼로, 실리콘 또는 실리콘 카바이드 기판 위에 질화갈륨 박막을 성장시킨 것입니다. DC Power GaN Epiwafer는 DC-DC 컨버터와 인버터, 스위치, 전계효과트랜지스터 등 전력 변환 및 제어 부품에 사용됩니다. 최대 300mm 규격까지 생산하며, n+ 및 p-GaN Selective Regrowth 제품은 특정 영역의 전기적 성질을 조절하여 소자 성능을 높이는 데 쓰입니다.
자체 개발한 Hybrid-MBE 장비를 이용해 800도 성장 온도에서 시간당 2μm 이상의 속도로 박막을 성장시킵니다. SADA(Self-Aligned Defect Annihilation) 기술을 적용해 결함을 줄이고, AI 기반 영상분석 플랫폼 DOMM을 통해 실시간으로 성장 상태를 모니터링하며 품질을 관리합니다.
2022년 신규 양산 FAB을 구축하고 4세대 Hybrid-MBE 장비를 도입했습니다. 2023년 AlN Buffer 구조 GaN on SiC와 p-GaN Selective Regrowth 기술을 개발했으며, 2025년에는 레이더 증폭기용 8인치 GaN on SiC 에피웨이퍼와 인공 광합성 패널용 8인치 질화갈륨 나노와이어 에피웨이퍼를 개발했습니다. 2026년 1월 GaN 에피웨이퍼 출하량 1K를 달성했습니다.